LN4501LT1G 时间：2025/8/14 2:50:39 阅读：22

LN4501LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源保护电路等。LN4501LT1G 采用先进的沟槽工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用 SOT-223 封装，适合表面贴装应用，具备良好的热性能和空间效率。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5.8A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 40mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 55mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

LN4501LT1G 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在 VGS = 10V 时 Rds(on) 最大为 40mΩ，在 VGS = 4.5V 时最大为 55mΩ，支持在低电压驱动条件下依然保持良好的性能。
　　另一个显著特点是其高电流承载能力，最大连续漏极电流为 5.8A，适合中高功率应用。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作，最大工作温度可达 150°C。
　　LN4501LT1G 的栅极驱动电压范围较宽，可支持 4.5V 至 20V 的栅源电压，兼容多种驱动电路，包括由微控制器或 PWM 控制器直接驱动的情况。同时，±20V 的栅源电压耐受能力增强了其在瞬态条件下的可靠性。
　　该器件采用 SOT-223 封装，具备良好的热管理能力，适合高密度 PCB 设计。SOT-223 是一种常见的表面贴装封装，便于自动化生产和焊接，适用于各种工业和消费类电子设备。
　　此外，LN4501LT1G 还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关控制。

应用

LN4501LT1G 广泛应用于各种电源管理系统中，例如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器以及电池保护电路。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于便携式设备和电源适配器中的高效率功率转换电路。
　　在电源管理方面，LN4501LT1G 可作为主开关器件用于同步整流拓扑，以提高转换效率。在负载开关应用中，它可以作为控制高侧或低侧负载的开关，实现快速通断控制，适用于 USB 电源管理、电池充电电路等。
　　该 MOSFET 还可用于电机控制和功率放大电路，提供稳定的高电流输出能力，适用于小型电机、风扇和继电器驱动等场景。此外，在电池管理系统中，LN4501LT1G 可用于过流保护、充放电控制和电池均衡电路，确保电池组的安全运行。
　　在工业自动化和消费电子领域，LN4501LT1G 也可用于 LED 照明调光、智能电源插座、智能电表和电源监控系统等应用场景。