SC6800H3-315G 时间：2025/5/10 14:00:12 阅读：2

SC6800H3-315G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电路中。该芯片采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而提高了整体系统效率并降低了功耗。
　　这款器件具有良好的热性能和电气特性，能够承受较高的电流和电压负载，同时提供可靠的保护功能以确保在复杂环境下的稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压VDS：60V
　　最大栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：31.5A
　　导通电阻RDS(on)：4.5mΩ（典型值，在VGS=10V时）
　　输入电容Ciss：2920pF
　　栅极电荷Qg：75nC
　　反向恢复时间trr：35ns
　　工作温度范围：-55°C to +175°C

特性

SC6800H3-315G的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关能力，支持高频应用，降低开关损耗。
　　3. 高电流承载能力，适用于大功率场景。
　　4. 强大的雪崩能力和短路耐受能力，提升了系统的可靠性和安全性。
　　5. 小巧的封装尺寸，便于PCB布局设计，节省空间。
　　6. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境。

应用

该芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
　　2. 电机驱动和控制，例如家用电器中的风扇或泵。
　　3. 各类工业设备中的功率调节系统。
　　4. DC-DC转换器，用于汽车电子或通信电源中。
　　5. LED驱动电路，实现高效节能照明。
　　6. 电池管理系统(BMS)，用于电动车或储能设备。