LN4264T1G 时间：2025/8/13 20:05:35 阅读：21

LN4264T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率的功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的性能和可靠性，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：6.4A
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，最大为24mΩ；@Vgs=4.5V时，最大为34mΩ
　　功耗（Pd）：3.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

LN4264T1G 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽技术，优化了导通性能和热稳定性。
　　其封装形式为 TO-252（DPAK），提供了良好的热管理和机械稳定性，适合高功率密度设计。
　　此外，LN4264T1G 具有较高的栅极-源极电压容限（±20V），在驱动电路设计中提供了更高的灵活性和安全性。
　　该 MOSFET 还具备较高的短路耐受能力，能够在突发过载情况下提供一定的保护能力，从而增强系统的可靠性。
　　LN4264T1G 还具有快速开关特性，适合高频操作，从而减小外部元件的尺寸，提高系统的整体效率。

应用

LN4264T1G 主要应用于功率管理领域，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及电机控制电路等。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合用于需要高效率和高性能的电源转换应用。
　　此外，LN4264T1G 也常用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品中的功率开关电路中。
　　在电源管理模块中，该 MOSFET 可以作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。
　　在电机控制应用中，它可以提供高效的开关性能，从而实现对电机转速和方向的精确控制。