类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ（典型值）@ VGS = 10V
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（最大值）@ VGS = 4.5V
　　栅极电荷（Qg）：9.3nC @ VGS = 10V
　　功耗（PD）：3.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP-6

LN4264AT1G具有多项优异的电气和热性能特性，使其在功率MOSFET领域中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）在10V栅极电压下仅为26mΩ，极大降低了导通损耗，提高了整体系统效率。即使在较低的栅极电压（如4.5V）下，其Rds(on)仍保持在35mΩ以内，确保了在低电压驱动条件下的稳定性能。
　　其次，LN4264AT1G采用了先进的Trench沟槽结构，提升了电流密度和热稳定性，使得器件能够在高频率和高负载条件下稳定运行。栅极电荷（Qg）仅为9.3nC，在开关过程中可显著降低驱动损耗，提升开关速度，适用于高频开关电源应用。
　　此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达4.6A，适用于中小型功率转换系统。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更强的抗干扰性能，避免因过高的栅极电压导致损坏。
　　LN4264AT1G的TSOP-6封装形式具备优良的热管理能力，便于在紧凑型电路板上布局，并通过高效的散热设计延长器件寿命。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣工作环境。

LN4264AT1G广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备电源控制以及各类低电压高效率开关电源。此外，该器件也适用于电机驱动、LED照明调光、功率放大器以及工业自动化控制系统等对效率和稳定性有较高要求的场景。

Si2302DS, AO4406A, IRF7301, FDS6675, NVTFS5C471NL