LN3435MR-G是一款高性能、高效率的同步降压直流-直流转换器芯片,采用先进的CMOS工艺制造。该芯片内置功率MOSFET,能够提供高达5A的连续输出电流,同时支持2.7V至20V的宽输入电压范围,适用于多种电源场景。LN3435MR-G具有可调的开关频率和完善的保护功能,包括过流保护、短路保护、过温保护等,确保系统在各种工况下安全稳定运行。
这款芯片设计紧凑,外围元件少,非常适合空间受限的应用环境。其高效的性能和灵活的配置选项使其成为消费电子、工业设备及通信设备的理想选择。
输入电压范围:2.7V 至 20V
输出电流:最大5A
开关频率:200kHz 至 2MHz(可调)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装形式:ESOP8
待机电流:典型值1uA
效率:最高可达95%
参考电压精度:±1%
LN3435MR-G具有以下主要特性:
1. 内置高效功率MOSFET,减少外部元件数量。
2. 支持2.7V至20V宽输入电压范围,适应多种电源需求。
3. 提供高达5A的连续输出电流能力,满足大功率应用需求。
4. 开关频率可调,范围为200kHz至2MHz,便于优化EMI性能和效率。
5. 高效运行,在重载条件下效率可达95%,轻载时自动进入省电模式以保持高效率。
6. 完善的保护功能,包括过流保护、短路保护和过温保护,确保系统安全可靠。
7. 封装紧凑,采用ESOP8封装,适合空间受限的设计。
8. 待机电流低至1uA,延长电池供电设备的使用寿命。
LN3435MR-G适用于广泛的电源管理应用领域,包括但不限于:
1. 消费电子产品,如智能手机、平板电脑、便携式音频设备等。
2. 工业设备,例如PLC控制器、传感器模块、数据采集系统等。
3. 通信设备,比如路由器、交换机、基站辅助电源等。
4. 电池供电设备,如手持扫描仪、医疗监护设备等。
5. LED驱动器,用于恒流控制以驱动高亮度LED灯串。
由于其高效率和灵活性,LN3435MR-G在任何需要高效降压转换的场合都能表现出色。
LN3435MR-N, LN3435MR-B