JX2N6275 是一款由JX(可能为国产厂商标识)生产的N沟道增强型功率MOSFET,通常用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特点,适用于中高功率应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):最大650V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A(在25℃)
功耗(Pd):100W
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.25Ω
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220或TO-263(具体以实际产品为准)
JX2N6275 MOSFET采用了先进的硅片制造工艺,具备优异的导通和开关性能。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。同时,该器件具有高耐压能力,能够承受高达650V的漏源电压,适用于高压应用环境。
此外,JX2N6275具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力,确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。其栅极结构设计优化,降低了开关损耗,并提高了抗干扰能力。封装形式通常为TO-220或TO-263,便于安装和散热管理。
该MOSFET还具有较高的可靠性,适用于各种工业级和消费级电子产品。其封装材料符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品设计。
JX2N6275 广泛应用于各类功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED驱动电源、电池充电器以及工业自动化控制系统等。
在电源管理领域,该器件可作为主开关元件,实现高效的能量转换。在电机控制中,可用于H桥驱动,实现电机的正反转和调速功能。此外,JX2N6275也可用于逆变器和变频器等电力电子系统中,提供稳定的功率输出。
2N6275, FQA18N65, FDPF18N65S