时间：2025/8/13 8:30:51
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LN3426DT2AG是一款由ONSEMI（安森美半导体）设计和制造的双极型晶体管（BJT）阵列集成电路。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管，适用于需要多个晶体管的电路设计。由于其紧凑的设计和高性能，LN3426DT2AG广泛用于各种电子设备中，包括信号放大、开关电路和逻辑控制等应用场景。
类型：NPN双晶体管阵列
集电极-发射极电压（Vce）：30V
集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TSOP
安装类型：表面贴装（SMT）
频率响应：适用于高频应用
LN3426DT2AG的主要特性包括两个独立的NPN晶体管，每个晶体管都具有相同的电气特性，确保了在双路应用中的一致性。该器件的低饱和电压和快速开关特性使其非常适合用于高频开关和信号处理应用。
此外，LN3426DT2AG采用了小型TSOP封装，节省了PCB空间，非常适合用于紧凑型电子设备的设计。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业和汽车应用。
晶体管的增益（hFE）范围宽，可以根据不同的应用需求选择合适的偏置条件。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定工作。
LN3426DT2AG适用于多种电子电路应用，包括但不限于：
? 数字电路中的逻辑开关
? 模拟信号放大器设计
? 电源管理电路中的电流控制
? 工业自动化设备中的信号处理和控制电路
? 汽车电子系统中的传感器接口和驱动电路
? 通信设备中的射频信号处理和放大
PN2907ALP, BC847BYS, 2N3904
