LN2314LT1G 时间：2025/8/13 12:11:36 阅读：21

LN2314LT1G是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统，例如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关应用。LN2314LT1G采用了先进的工艺技术，确保了在高频率开关操作下的稳定性能，并且具备较低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（最大值）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223
　　工艺技术：Trench沟槽技术

特性

LN2314LT1G的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。其低Rds(on)特性可以有效减少功率损耗，提高能效，同时在高负载条件下也能保持较低的温升。该器件的封装设计（SOT-223）提供了良好的散热性能，使其在高功率应用中依然能够稳定工作。
　　此外，LN2314LT1G具有高耐压能力和良好的抗过载能力，适用于多种复杂的工作环境。其栅极驱动设计优化，支持快速开关，降低了开关损耗，适用于高频开关电源设计。器件的制造符合RoHS标准，适用于绿色环保的电子设备设计。