LN2301LT1G 时间：2025/8/13 12:04:28 阅读：20

LN2301LT1G是一款由ON Semiconductor生产的双通道、低压差（LDO）稳压器集成电路。该器件设计用于提供高精度、低噪声和高稳定性的电压调节，适用于对电源噪声敏感的便携式电子设备和射频（RF）电路。LN2301LT1G采用SOT-23-5封装，具有较小的占板面积，适合空间受限的应用。

参数

输出电压类型：固定输出电压（1.2V至3.3V，具体取决于型号）
　　输出电流：最大300mA
　　输入电压范围：2.5V至6.0V
　　压差电压：典型值为300mV@300mA负载
　　稳压精度：±2%
　　静态电流：典型值50μA
　　关断电流：最大1μA
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：SOT-23-5

特性

LN2301LT1G具有多项优异的电气特性和保护功能，确保其在各种应用环境下的稳定性和可靠性。首先，其低压差特性使得在输入和输出电压差较小的情况下仍能保持良好的稳压性能，从而提高了能效并延长了电池寿命。其次，该器件具有较低的输出电压噪声和良好的电源抑制比（PSRR），特别适用于对噪声敏感的模拟电路和射频系统。
　　此外，LN2301LT1G集成了多种保护机制，包括过热保护（OTP）和过流保护（OCP），以防止在异常工作条件下损坏芯片。其低静态电流特性也使其非常适合于低功耗应用，如便携式设备、无线传感器和智能穿戴设备。
　　在稳定性方面，LN2301LT1G仅需一个小型的陶瓷输出电容即可保持稳定工作，减少了外部元件的数量和电路板空间。同时，其快速瞬态响应能力确保在负载变化时输出电压保持稳定，不会对系统性能造成影响。

应用

LN2301LT1G广泛应用于需要高效、低噪声电源调节的便携式电子产品中。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线通信模块、音频放大器、传感器接口电路以及电池供电的嵌入式系统。此外，该器件也适用于需要高稳定性和低噪声的射频前端模块、精密模拟电路和数据转换器供电系统。
　　由于其紧凑的封装和优良的性能，LN2301LT1G也常用于工业控制设备、医疗仪器以及汽车电子系统中，为关键电路提供稳定的电源供应。