时间：2025/8/13 9:04:16
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LN2301GLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中高功率应用。该器件采用先进的 Trench 技术制造，具备低导通电阻和高开关性能。LN2301GLT1G 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等应用场景。该器件采用 SOT-23 封装，便于在紧凑的 PCB 设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：400 mA
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：0.65 Ω @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：1.3 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
LN2301GLT1G 具有低导通电阻的特点，这有助于降低功率损耗并提高效率。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从 4.5V 到 20V 的工作电压，适用于多种驱动电路。此外，其高开关速度使得该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，有助于减小外部滤波元件的尺寸。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作。其 SOT-23 小型封装不仅节省空间，而且便于表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产流程。
由于其优异的性能指标，LN2301GLT1G 在工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中广泛使用。例如，它可用于负载开关控制、电池供电设备中的电源管理电路以及小型电机驱动系统。
LN2301GLT1G 主要应用于以下领域：1）DC-DC 转换器和稳压电路中的功率开关；2）低电压电机控制和继电器替代应用；3）电池供电设备中的负载开关控制；4）工业自动化系统中的电源管理模块；5）消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中的功率控制电路。
Si2301DS, 2N7002, FDN302P, BSS138
