时间：2025/7/11 15:50:11
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LN2266PA2MR-G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景。
LN2266PA2MR-G 采用紧凑的 SOT-23 封装，使其成为空间受限应用的理想选择。其出色的电气性能和可靠性保证了在多种电子系统中的稳定运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（典型值，在 Vgs=4.5V 时）：150mΩ
导通电阻（最大值，在 Vgs=4.5V 时）：200mΩ
栅极电荷：9nC
总电容（输入电容）：12pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
LN2266PA2MR-G 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效的功率传输并降低功耗。
2. 快速的开关速度，减少了开关损耗，适用于高频应用。
3. 高度可靠的逻辑电平控制能力，能够直接与微控制器或数字电路接口。
4. 具有出色的热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的性能。
5. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
LN2266PA2MR-G 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池供电系统的保护电路。
4. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
5. 各种工业和消费类电子产品中的信号切换和功率管理。
6. LED 驱动器中的电流调节和控制。
LN2266PBF, FDN340P, BSS138
