LN1132P282MR-G 时间：2025/4/29 10:32:04 阅读：2

LN1132P282MR-G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管 (BJT)，具体为 NPN 型号，主要用于信号放大和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有出色的高频性能和低噪声特性，适合于通信设备、音频放大器和其他需要高性能晶体管的应用场景。
　　该晶体管封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，能够显著节省电路板空间，同时具备良好的散热性能。

参数

集电极-发射极击穿电压：40V
　　集电极电流：200mA
　　直流电流增益（hFE）：150（最小值），300（最大值）
　　功率耗散：360mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　存储温度范围：-65℃ 至 +175℃
　　过渡频率：300MHz

特性

LN1132P282MR-G 具有高增益和高频响应能力，其主要特点包括：
　　1. 高频性能优越，适用于射频 (RF) 和高速开关应用。
　　2. 低噪声设计，非常适合音频和通信系统的信号放大。
　　3. 紧凑的 SOT-23 封装，可减少 PCB 占用面积并简化设计。
　　4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
　　由于这些优点，该晶体管成为许多消费类电子产品和工业控制领域的理想选择。

应用

LN1132P282MR-G 广泛应用于以下领域：
　　1. 音频放大器中的前置放大级或驱动级。
　　2. 通信设备中的信号调节与放大。
　　3. 开关电源和 DC-DC 转换器中的小型开关元件。
　　4. 各种工业控制应用中的信号处理和逻辑接口。
　　5. 便携式电子设备中的低功耗电路设计。
　　6. 测试测量仪器中的精确电流源或电压缓冲器。
　　这款晶体管凭借其高性能和灵活性，能够适应多种复杂的工作条件。