时间：2025/6/19 14:29:50
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BSC004NE2LS5是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压、高效率开关应用。该器件采用了先进的制程技术，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合于负载开关、同步整流、DC-DC转换器等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：4.1A
导通电阻（典型值）：16mΩ
总栅极电荷：12nC
开关时间：ton=10ns，toff=15ns
1. 超低导通电阻，可显著降低功率损耗。
2. 快速开关特性，支持高频操作。
3. 小型封装（通常为SOT-23或更小尺寸），节省PCB空间。
4. 高可靠性设计，能够承受多次雪崩能量冲击。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 笔记本电脑及便携式设备中的电源管理。
3. 各类降压型DC-DC转换器电路。
4. USB充电端口保护与控制。
5. LED驱动及小型电机控制。
BSC004NE2LS,GD9704E,IRLML6402
