时间：2025/5/10 15:05:22
阅读：22
LN026N100C是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频率、高效率的开关电源和电机驱动应用。该器件采用了先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的整体性能。
LN026N100C主要针对需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景设计，其耐压能力为100V，并且具备出色的热性能表现。
额定电压：100V
连续漏极电流：26A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1080pF
反向恢复时间：无（由于是MOSFET）
工作温度范围：-55℃至+175℃
LN026N100C拥有以下突出特性：
1. 超低导通电阻，仅为1.3mΩ，可有效降低导通损耗。
2. 快速开关速度，支持高频工作环境，从而减少磁性元件的体积并提升系统效率。
3. 先进的封装结构提高了散热性能，使器件能够在高温条件下稳定运行。
4. 栅极驱动要求简单，与传统硅基MOSFET兼容，便于替换升级。
5. 高可靠性设计，满足工业级和汽车级应用的需求。
6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
LN026N100C广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于通信设备和服务器电源模块。
3. 电机驱动控制，例如电动工具和家用电器中的无刷直流电机驱动。
4. 新能源汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC变换器。
5. 光伏逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 工业自动化设备中的功率转换部分。
LN020N100C
LN026N100K
STGAP100C
Infineon IPW100R060S6L
