时间：2025/8/13 14:48:24
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LMURH840FG是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。这款MOSFET采用了先进的技术，提供了卓越的导通和开关性能，适用于电源管理、电机控制以及各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：140A
最大漏源电压（VDS）：80V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
LMURH840FG具备极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。该器件的高耐压能力使其适用于多种高电压功率转换场景。此外，该MOSFET的封装设计优化了热管理，提高了散热效率，从而增强了器件的可靠性和稳定性。
该器件还具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体能效。其栅极驱动特性优化，减少了开关过程中的能量损耗，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保在严苛工况下的稳定运行。
LMURH840FG的工作温度范围广泛，可在极端环境下保持正常工作，适用于工业控制、汽车电子、电源供应器等多种应用场景。
LMURH840FG广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及工业自动化控制系统。由于其优异的电气性能和高可靠性，该MOSFET也适用于对效率和稳定性要求较高的高频开关应用。
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