类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：60 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：200 mA
　　功率耗散（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-523
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）

LMURH2060CFTG具有一系列优异的电气和机械特性，适用于高频和中功率应用。
　　首先，该晶体管具有高达250 MHz的过渡频率（fT），这使其在高频放大和射频电路中表现出色。高频性能的提升意味着在无线通信、射频前端模块等应用中能够实现更高的信号处理效率。
　　其次，LMURH2060CFTG的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，具体取决于工作电流。这种高增益特性使得该晶体管在需要高信号放大的电路中具有良好的性能，例如音频放大器或传感器信号调理电路。
　　此外，该晶体管的封装形式为SOT-523，这是一种小型化表面贴装封装，适合在空间受限的PCB设计中使用。SOT-523封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于提高整体电路的可靠性和耐久性。
　　LMURH2060CFTG的集电极-发射极电压（VCEO）为60 V，集电极-基极电压（VCBO）为100 V，发射极-基极电压（VEBO）为5 V，这些参数表明其在中高压应用中具有良好的耐受能力。同时，集电极最大电流为200 mA，功率耗散为300 mW，使其在中功率应用中表现出色。
　　最后，该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其在极端温度条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等要求严苛的应用环境。

LMURH2060CFTG广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. **射频（RF）放大器**：由于其高达250 MHz的过渡频率，LMURH2060CFTG非常适合用于射频信号放大，例如在无线通信模块、射频前端电路、Wi-Fi或蓝牙设备中。
　　2. **开关电路**：该晶体管的快速开关特性和高电流增益使其适用于各种数字开关电路，如逻辑电平转换器、继电器驱动器或LED驱动电路。
　　3. **音频放大器**：在小型音频设备中，LMURH2060CFTG可以作为前置放大器使用，提供高增益和低噪声的信号放大功能。
　　4. **传感器接口电路**：在工业自动化和物联网设备中，该晶体管可用于传感器信号的放大和调节，提高信号的稳定性和准确性。
　　5. **电源管理电路**：该晶体管适用于低功耗电源管理电路，例如DC-DC转换器、电池管理系统或负载开关等应用。
　　6. **汽车电子**：由于其宽工作温度范围和高可靠性，LMURH2060CFTG也适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块或传感器接口电路。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, 2N4401, PN2222A