IXTH72N20T 时间：2025/8/6 5:16:01 阅读：34

IXTH72N20T 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，适用于工业电源、电机驱动、逆变器、焊接设备和不间断电源（UPS）等应用场景。IXTH72N20T 采用了先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，使其在高电流和高温环境下仍能保持稳定的性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　漏极电流（ID）：72 A（在 25°C 下）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045 Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：160 nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300 W
　　短路耐受能力：有
　　雪崩能量（EAS）：1.2 J

特性

IXTH72N20T 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅结构，使其在高电流条件下仍能保持较低的导通压降。此外，该 MOSFET 具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。
　　该器件还具备较强的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的工业和电力电子应用。IXTH72N20T 还具有较高的雪崩能量耐受能力（EAS），能够在电压突变或电感负载切换时提供额外的保护，防止器件因过电压而损坏。
　　其 TO-247 封装形式具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，进一步提升器件的功率处理能力。该封装也广泛应用于高功率电子设备中，具有良好的兼容性和可替换性。

应用

IXTH72N20T 广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、焊接设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其具备较高的电流能力和良好的热稳定性，该 MOSFET 在高负载和恶劣工作环境下表现优异，适用于要求高可靠性和长寿命的工业和电力电子设备。