时间：2025/8/13 8:13:03
阅读：4
LMURH1640CFTG是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高效能的电源管理应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点。LMURH1640CFTG采用先进的沟槽栅技术，以提供最佳的导通性能和开关特性，适用于各种高功率应用，如DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制和电源开关等。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：1.6mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
技术：沟槽栅MOSFET
LMURH1640CFTG的主要特性包括其极低的导通电阻，使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供了卓越的开关性能，减少了开关损耗，适用于高频操作环境。其高电流容量和耐压能力使其在高压和高功率应用中表现优异。器件还具有良好的热性能，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。此外，其小型化的PowerFLAT封装设计节省了PCB空间，并且有助于提高散热效率。
在可靠性方面，LMURH1640CFTG具有良好的抗冲击和抗振动能力，适用于工业和汽车电子等严苛的工作环境。该器件还具备良好的抗静电能力，能够有效防止静电放电对器件的损害。同时，其宽泛的工作温度范围确保了在极端温度条件下的稳定性和可靠性。
LMURH1640CFTG广泛应用于多种高功率电子系统中，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、功率因数校正（PFC）电路、电源开关、负载开关和工业自动化设备。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和起停系统等。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电系统中，该器件也发挥着重要作用。由于其优异的高频开关性能，LMURH1640CFTG也适用于需要快速开关响应的高频变换器和变频器系统中。
STP150N6F6AG, FDD8880, IRFP4468PBF, SiR178DP-T1-GE3
