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LMUR840G 发布时间 时间:2025/8/13 11:16:37 查看 阅读:19

LMUR840G是一款由ON Semiconductor生产的高压、高速双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管设计用于高可靠性、高功率的应用,例如工业电源、电机驱动和开关电源。LMUR840G具有优异的热稳定性和高击穿电压特性,适用于需要高耐压和高电流的电路设计。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(Vceo):400V
  最大集电极电流(Ic):8A
  最大功耗(Ptot):125W
  过渡频率(fT):30MHz
  集电极-基极击穿电压(Vcbo):400V
  发射极-基极击穿电压(Vebo):6V
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

LMUR840G具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现突出。
  首先,其最大集电极-发射极电压(Vceo)为400V,能够承受较高的电压应力,适用于高压开关电路。其次,最大集电极电流为8A,使得它能够驱动较大的负载,如电机或高功率LED模块。
  该晶体管的最大功耗为125W,能够在较高的温度环境下稳定工作,同时具备良好的散热性能。此外,过渡频率(fT)为30MHz,表明其在高频应用中也具备良好的响应能力,适合用于开关电源中的高频开关操作。
  LMUR840G的工作温度范围为-55°C至+150°C,确保其在极端温度条件下依然保持稳定性能,适用于工业级和汽车电子应用。
  最后,该晶体管采用了标准的TO-220封装,便于安装和散热,并且与大多数PCB设计兼容,简化了电路设计和制造过程。

应用

LMUR840G广泛应用于多个高功率和高压的电子系统中。
  其主要应用之一是开关电源(SMPS)。由于其高击穿电压和较大的电流承受能力,适合用于电源转换器的开关元件,例如Boost或Flyback拓扑结构中的主开关。
  其次,该晶体管常用于电机驱动电路。例如,在工业自动化系统中,LMUR840G可以作为H桥电路的一部分,控制直流电机的方向和速度,同时承受较高的反电动势电压。
  此外,LMUR840G还被用于逆变器和功率放大器中,作为功率级的开关或放大元件,适用于音频放大器、工业加热设备等场景。
  在照明应用中,LMUR840G可作为高功率LED驱动器的核心元件,实现高效的恒流控制和高亮度输出。

替代型号

MJ15003G, MJ15024G, TIP142

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