时间：2025/8/14 2:37:36
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LMUN5312DW1T1G是一款双极性晶体管（BJT），具有内置偏置电阻的数字晶体管。它集成了两个晶体管（一个NPN和一个PNP）在一个封装中，适用于需要高集成度和节省空间的电路设计。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）制造，广泛用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的开关和放大应用。
晶体管类型：数字晶体管（NPN + PNP）
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-363（6引脚）
输入电阻（R1）：47kΩ
下拉电阻（R2）：47kΩ
LMUN5312DW1T1G是一款高集成度的双极性晶体管，结合了NPN和PNP两种晶体管结构，并内置偏置电阻，从而简化了外围电路的设计。该器件的内部结构包括一个NPN晶体管和一个PNP晶体管，它们共享相同的输入偏置网络，使得控制信号可以同时驱动两种类型的晶体管。
内置的R1和R2偏置电阻分别为47kΩ，使得用户无需额外配置偏置电路，从而节省了PCB空间并降低了设计复杂度。该晶体管的最大集电极电流为100mA，适用于中低功率的开关和缓冲电路。其SOT-363小型封装非常适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能和可靠性。
LMUN5312DW1T1G的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种严苛环境，包括汽车电子系统、工业自动化设备和便携式消费电子产品。此外，其低功耗设计和良好的稳定性也使其成为电池供电设备的理想选择。
该晶体管广泛应用于数字控制电路中的电平转换、缓冲驱动、信号放大以及逻辑电平转换等场合。其内置电阻的设计特别适用于需要简化偏置电路的微控制器接口电路。此外，它还常用于继电器驱动、LED控制、H桥电机驱动电路以及各种类型的开关电路中。
LMUN5212DW1T1G, LMUN5313DW1T1G, FMMT618, FMMT718
