IR3P59A 时间：2025/8/27 20:57:06 阅读：11

IR3P59A是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用场合。该器件具有优异的导通和开关性能，适用于电源管理、电机控制、负载开关和工业自动化等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：59A
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.017Ω（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：120W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220、PG-TO220-3-1等

特性

IR3P59A具备低导通电阻特性，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少发热。该器件的高栅极电压耐受能力（±20V）提供了更好的可靠性和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。
　　此外，IR3P59A的封装设计使其具备良好的热管理性能，确保在高功耗条件下的稳定运行。其快速开关特性使其适用于高频率开关电路，如DC-DC转换器和电机驱动器。
　　在制造工艺方面，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提升了导通效率和热稳定性。同时，其封装材料符合RoHS环保标准，满足现代电子产品的环保要求。