IRG7IA19UPBF 时间：2025/12/26 21:22:23 阅读：13

IRG7IA19UPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能功率MOSFET器件，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，结合场截止（Field-Stop）IGBT工艺，具备低导通损耗和快速开关特性，适用于工业电机控制、电源转换系统以及可再生能源逆变器等场景。其封装形式为PG-HSOF-5，具有良好的热性能和电气隔离能力，适合在紧凑型功率模块中使用。该器件工作温度范围宽，可靠性高，能够适应严苛的工业环境。
　　IRG7IA19UPBF集成了一个反并联续流二极管，增强了其在感性负载切换中的鲁棒性，同时优化了电磁干扰（EMI）表现。该器件还具备出色的短路耐受能力和过温保护潜力，配合外部驱动电路可实现安全的操作边界管理。由于其高度集成的设计和优良的动态性能，IRG7IA19UPBF被广泛用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动工具驱动器和感应加热设备中。

参数

型号：IRG7IA19UPBF
　　类型：IGBT单管
　　最大集电极电流：7A
　　最大集射极电压：650V
　　导通压降（VCE(sat)）：1.9V @ IC=7A, VGE=15V
　　栅极阈值电压：4.0V ~ 6.0V
　　开关频率：可达50kHz以上
　　输入电容（Ciss）：约120pF
　　输出电容（Coss）：约35pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值75ns
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：PG-HSOF-5
　　功耗（PD）：100W
　　极性：NPN型
　　漏电流（ICES）：≤ 250μA @ Tj=150°C

特性

IRG7IA19UPBF的核心特性在于其采用了英飞凌先进的IGBT技术和优化的芯片结构，实现了低饱和压降与快速开关速度之间的良好平衡。这使得器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗，从而显著提升系统的整体能效。其1.9V的典型VCE(sat)在同类产品中表现出色，有效降低了大电流下的发热问题，提高了长期运行的稳定性。此外，该器件具备非常低的输入电容和输出电容，有助于减少驱动功率需求，并降低开关过程中的振荡风险。
　　另一个关键特性是其优异的动态性能，尤其是在硬开关和软开关拓扑中均表现出稳定的开关行为。通过精确控制栅极电阻，用户可以灵活调节开关速度以满足EMI与效率之间的权衡要求。器件内置的快速体二极管进一步提升了其在桥式电路中的适用性，特别是在无源整流或再生制动过程中提供可靠的电流回路路径，避免了额外外接二极管带来的成本和空间开销。
　　热管理方面，PG-HSOF-5封装提供了良好的热传导路径，允许器件将热量高效传递至PCB敷铜区域，从而实现自然散热条件下的稳定工作。该封装还具备较高的绝缘耐压能力，符合工业级安全标准，适用于需要电气隔离的应用场合。综合来看，IRG7IA19UPBF在可靠性、效率和集成度方面都达到了较高水平，特别适合对体积、效率和散热有严格要求的设计场景。

应用

IRG7IA19UPBF广泛应用于多种中等功率电力电子系统中，尤其适合需要高效、高频开关操作的场合。典型应用包括单相和三相逆变器，如太阳能光伏逆变器中的DC-AC转换级，能够在600V母线电压下可靠运行，并支持最大7A连续电流输出。在不间断电源（UPS）系统中，该器件常用于H桥或半桥拓扑结构，执行能量双向流动控制，确保电网断电时负载持续供电。
　　此外，它也被用于工业电机驱动器，特别是小功率交流伺服系统和变频家电中，凭借其快速响应能力和良好的线性控制特性，实现精准的转矩与速度调节。在感应加热设备如电磁炉、小型熔炼装置中，IRG7IA19UPBF可用于串联谐振或并联谐振拓扑，承担主开关功能，在数十千赫兹频率下实现高效能量耦合。
　　其他应用场景还包括开关模式电源（SMPS），尤其是LLC谐振转换器或有源钳位反激拓扑，利用其低开关损耗优势提高电源效率；以及电动工具、无人机电调等便携式动力系统中，作为核心功率开关元件。由于其封装小巧且无需额外绝缘垫片，非常适合空间受限但需高功率密度的设计方案。