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LMUN5232DW1T1 发布时间 时间:2025/12/25 6:17:51 查看 阅读:19

LMUN5232DW1T1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的双极型晶体管阵列(NPN 和 PNP 组合),属于双晶体管(Dual Transistor)系列。该器件集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管在一个封装中,适合用于需要互补驱动的电路设计,如电机驱动、电平转换和开关电源应用。该封装采用 SOT-236(SC-59)小型封装,适用于表面贴装技术(SMT),具有良好的热稳定性和电气性能。

参数

晶体管类型:NPN + PNP 双晶体管
  集电极-发射极电压(Vce):50V(最大值)
  集电极电流(Ic):100mA(最大值)
  功率耗散(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-236(SC-59)
  增益(hFE):110(最小值,典型值)
  频率响应:100MHz(典型值)

特性

LMUN5232DW1T1 的主要特性包括其互补型双晶体管结构,使得其非常适合用于需要 NPN 和 PNP 配对的电路应用。该器件的集电极-发射极耐压为 50V,能够承受较高的电压应力,适用于中低功率的开关控制电路。
  该器件的最大集电极电流为 100mA,适合用于低电流驱动应用,如逻辑电平转换、小型继电器或 LED 驱动。功率耗散为 300mW,结合其小型 SOT-236 封装,能够在不增加额外散热器的情况下满足大多数应用需求。
  工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,使其适用于各种工业级环境。其 hFE(电流增益)最低为 110,保证了良好的放大能力和稳定的电流控制性能。此外,该器件的频率响应可达 100MHz,适用于中高频的开关或放大电路。
  由于其集成化设计,LMUN5232DW1T1 可以减少 PCB 板上的元件数量,提高系统可靠性和简化设计流程。该器件符合 RoHS 环保标准,支持无铅工艺,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

应用

LMUN5232DW1T1 适用于多种电子电路设计,常见应用包括互补驱动电路、电平转换器、小型电机或继电器控制、LED 驱动电路、逻辑门电路接口以及低功率开关电源中的控制部分。此外,该器件还可用于音频放大电路中的预放大级或缓冲级,以及在数字电路中实现逻辑反相功能。

替代型号

MUN5232DW1T1, LMUN5234DW1T1, FMMT5232

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