晶体管类型：NPN BJT x2（带偏置电阻）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23-6

LMUN5230T1G的主要特性之一是其内置的偏置电阻，这使得该器件在使用时无需外部添加偏置电路，从而简化了设计并减少了PCB的占用空间。每个晶体管的基极和发射极之间均集成了一个电阻，典型值为10kΩ和10kΩ，这种设计非常适合用作逻辑电平转换或驱动小型负载。
　　此外，该器件具有较高的开关速度和良好的热稳定性，使其在数字电路和脉冲应用中表现出色。由于其SOT-23-6封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，因此适用于便携式电子设备和自动化控制系统。
　　另一个重要特性是其电气参数的稳定性。LMUN5230T1G在宽温度范围内保持稳定的性能，适合在恶劣环境中使用。同时，该器件的可靠性高，符合AEC-Q101汽车级认证，因此广泛用于汽车电子系统中。

LMUN5230T1G主要应用于需要逻辑控制、信号切换和电平转换的电路中。例如，在微控制器系统中，它可以作为驱动LED、小型继电器或MOSFET的开关器件，无需额外的偏置电阻，从而降低设计复杂度。
　　此外，该器件也常用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子模块。在汽车电子中，它可用于控制灯组、传感器信号处理和车载网络中的信号缓冲。
　　在通信设备中，LMUN5230T1G可以作为低频信号的放大器或逻辑电平转换器，实现不同电压域之间的信号隔离与转换。由于其高可靠性和小型封装，也适用于便携式设备和可穿戴电子产品中的低功耗控制电路。

FMMT617, MMBT3904, BC847