时间：2025/8/14 1:33:53
阅读：20
LMUN5216DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT）阵列器件，内部集成了两个独立的NPN晶体管。该芯片采用 SOT-363 封装，适用于小型电子设备和高密度PCB设计。LMUN5216DW1T1G 的设计具有良好的热稳定性和电流放大能力，非常适合用于信号放大、开关控制以及数字逻辑电路。
类型：BJT 晶体管阵列
晶体管数量：2 个
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
最大功耗：200 mW
电流增益（hFE）：110 - 800（根据工作电流不同）
频率响应：100 MHz
封装类型：SOT-363
LMUN5216DW1T1G 是一款双NPN晶体管器件，具有高度集成的特点，适合在空间受限的设计中使用。该器件的每个晶体管都可以独立工作，并且具有较高的电流增益（hFE），可在多种工作条件下提供稳定的放大性能。此外，其SOT-363封装形式使得该器件具有较低的热阻，并能有效散热，从而提高了长期工作的可靠性。
这款晶体管的工作频率高达100 MHz，使其能够适用于射频和高速开关应用。其低饱和电压（Vce_sat）特性也使其在数字开关电路中表现优异，有助于降低功耗并提高效率。
LMUN5216DW1T1G 还具有良好的温度稳定性，可以在较宽的温度范围内保持性能稳定。这使得它在工业控制、消费电子和通信设备中都有广泛的应用。
LMUN5216DW1T1G 常用于需要多个晶体管集成的电路设计中，例如音频放大器、数字逻辑门电路、继电器驱动器、LED驱动电路、传感器接口电路以及各种低功耗电子设备中的信号处理和开关控制。此外，由于其高频响应特性，该器件也广泛应用于射频前端电路和无线通信模块。
BC847BDS, MBT3946B, 2N3904, 2N2222
