时间：2025/4/28 13:34:04
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V3R6B0402HQC500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，从而实现了高效的电力转换和较低的功耗。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计目标是满足工业级和消费电子领域对高效能、小型化和可靠性的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷：107nC
输入电容：2140pF
总电容：3550pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
V3R6B0402HQC500NBT 的主要特点是具备非常低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，这使得它在高频开关应用中表现出色。此外，该器件还支持较高的持续电流能力，适用于大功率场景。
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关性能，适合高频电路设计。
3. 高耐热性能，能够在极端温度条件下稳定运行。
4. 小尺寸封装，便于紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子系统中，例如：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动控制器。
4. 工业逆变器和变频器。
5. 电池管理系统 (BMS)。
6. 太阳能微逆变器和其他新能源相关设备。
V3R6B0402HQC500NBT 的卓越性能使其成为这些领域中的理想选择。
V3R6B0402HQC500NBW, IRFZ44N, FDP55N06L
