时间：2025/8/14 2:44:43
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LMUN5214DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），专门设计用于高效率、小尺寸封装的功率应用。该晶体管采用 SOT-323（SC-70）封装，适合在空间受限的电路中使用。LMUN5214DW1T1G 具有低饱和电压、高电流增益和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动等应用场景。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
最大功耗（Pd）：200 mW
电流增益（hFE）：在 2 mA 时为 80 - 800（分不同等级）
频率响应（fT）：100 MHz
封装类型：SOT-323（SC-70）
LMUN5214DW1T1G 的主要特性包括低饱和电压（Vce(sat)）和高电流增益，使其在低功耗和高效能电路设计中表现出色。其低饱和电压特性有助于减少在开关过程中产生的热量，从而提高整体系统的稳定性。该晶体管的高频率响应（fT 为 100 MHz）使其适用于中高频开关应用，例如脉宽调制（PWM）控制和射频（RF）放大电路。此外，SOT-323 封装不仅节省空间，还具有良好的热管理和电气性能，适用于高密度 PCB 设计。
LMUN5214DW1T1G 还具备良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的工作温度范围内稳定运行，适应广泛的工业和消费类电子产品需求。该晶体管还具有较低的基极驱动要求，使其能够直接由数字 IC 驱动，减少了外围电路的复杂性。由于其优异的性能和可靠性，LMUN5214DW1T1G 常被用于电池供电设备、便携式电子设备和汽车电子系统中。
LMUN5214DW1T1G 主要应用于需要高效能和小尺寸晶体管的电路中。常见的应用场景包括 DC-DC 转换器、LED 驱动电路、继电器驱动、负载开关和马达控制电路。由于其高频率响应特性，该晶体管也适用于射频（RF）放大器和高速开关电路。此外，LMUN5214DW1T1G 还被广泛用于工业自动化控制系统、通信设备和汽车电子模块，例如车身控制模块（BCM）和车载充电系统。
BC847NLT1G, MMBT3904LT1G, 2N3904, 2N2222A
