LMUN5141T1G 时间：2025/8/13 14:41:29 阅读：19

LMUN5141T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件设计用于高增益、低噪声和高频率应用，适用于模拟和数字电路中的信号放大和开关操作。LMUN5141T1G 采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装技术，广泛用于便携式电子产品、通信设备以及各种电子控制系统。

参数

类型：NPN 双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小） @ Ic=2mA, Vce=5V

特性

LMUN5141T1G 具备出色的电气性能和稳定性，适用于高频信号处理和低噪声放大。其 NPN 结构提供高电流增益，使得它在放大电路中表现出色。该晶体管的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源和信号条件下的操作。
　　该器件的增益带宽积为 100MHz，适合用于中高频放大器应用，能够有效传输高频信号而不失真。此外，LMUN5141T1G 在低电流条件下仍能保持良好的电流增益，确保在低功耗设计中仍具备稳定的性能。
　　封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在紧凑的 PCB 设计中使用。其表面贴装封装也提高了焊接可靠性和自动化生产效率。LMUN5141T1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于宽温度范围下的工业和汽车级应用。
　　此外，该晶体管具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作，适合用于高可靠性系统如通信设备、测试仪器和传感器接口电路。