时间：2025/5/12 18:59:03
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GA0805Y682MBJBT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电源管理、DC-DC 转换器以及通信设备中的射频放大器等场景。
该芯片封装形式为增强型场效应晶体管（e-mode FET），能够有效降低系统损耗并提高整体性能。此外，它还具备良好的热稳定性和可靠性，支持宽电压范围操作。
额定电压：650V
导通电阻：40mΩ
最大电流：15A
栅极电荷：8nC
输出电容：120pF
反向恢复时间：无（由于 GaN 材料特性，无反向恢复问题）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 使用氮化镓材料，提供卓越的开关性能和更低的导通损耗。
2. 内置优化的栅极驱动设计，可直接与标准逻辑电平兼容。
3. 支持高达数兆赫兹的工作频率，适用于高频应用场景。
4. 具备出色的热性能，能够在高温环境下保持稳定运行。
5. 封装紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
6. 高可靠性和长寿命，满足工业级和消费级应用需求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电模块
4. 电动汽车充电设备
5. 工业电机驱动
6. 通信基站中的功率放大器
7. 太阳能逆变器
8. 快速充电器设计
GAN063-650WSA
GAN041-650WSB
Infineon CoolGaN 650V 系列
