晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

LMUN5137T1G是一款高性能的NPN型晶体管，具备良好的电流放大能力和高频响应特性。其最大集电极电流为100mA，适用于低功率放大和开关应用。该晶体管具有较高的击穿电压（Vce和Vcb均为30V），能够在较宽的电压范围内稳定工作，适用于多种电子系统设计。
　　该器件采用SOT-23封装，具有较小的封装体积和良好的热稳定性，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-55°C至150°C，适合在各种环境条件下运行，包括高温和低温应用场景。
　　LMUN5137T1G的增益（hFE）在不同工作电流下表现出良好的线性度，确保信号放大时的稳定性。此外，该晶体管的开关速度较快，能够满足高频电路对响应时间的要求，适合用于数字开关电路和脉冲调制系统。
　　在可靠性方面，LMUN5137T1G经过严格的质量测试，符合工业标准，适用于汽车电子、工业控制、通信设备和消费电子产品。

LMUN5137T1G广泛应用于各类电子电路中，尤其适用于需要低功率放大和开关功能的场合。在放大器电路中，该晶体管可用于音频放大、信号增强和前置放大器设计，提供稳定可靠的增益性能。在开关电路中，LMUN5137T1G可用于驱动继电器、LED指示灯、小型电机和其他负载设备，实现高效的电子开关控制。
　　此外，该晶体管常用于数字电路中的电平转换和缓冲器设计，帮助提升信号的稳定性和传输效率。在嵌入式系统和微控制器外围电路中，LMUN5137T1G可用于驱动各种外围设备，如传感器、执行器和显示屏等。
　　由于其良好的温度稳定性和可靠性，LMUN5137T1G也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和传感器接口电路。在消费电子产品中，该晶体管常见于电源管理电路、充电控制模块和音频处理设备中。

BC847 NPN, 2N3904, 2N2222A, MMBT3904