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LMUN5136T1G 发布时间 时间:2025/8/13 15:23:24 查看 阅读:20

LMUN5136T1G是一款由ON Semiconductor生产的双极性晶体管(BJT)阵列器件,内含两个独立的NPN晶体管。该器件适用于需要双晶体管配置的各种应用,例如信号放大、开关电路、逻辑电平转换和驱动电路等。LMUN5136T1G采用SOT-23-6封装,体积小巧,非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB设计。

参数

晶体管类型:NPN双晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):300mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110(最小值,典型值)
  封装类型:SOT-23-6

特性

LMUN5136T1G具有多个关键特性,使其在各类电子设计中具有广泛的应用价值。
  首先,该器件内置两个独立的NPN晶体管,允许设计者在单一封装中实现多种功能,例如构建差分放大器、达林顿对管配置或双路开关电路等,从而节省PCB空间并简化电路设计。
  其次,该晶体管具有较高的频率响应(fT为100MHz),适合用于中高频放大和高速开关应用。其VCEO电压为50V,能够在中等电压条件下稳定工作,适用范围广泛。
  此外,LMUN5136T1G的hFE(电流增益)最低为110,确保了良好的信号放大能力,同时具有较低的饱和压降(VCE(sat)),提高了开关效率并降低了功耗。
  该器件采用SOT-23-6封装,具备良好的热稳定性和机械强度,适用于表面贴装工艺,适合自动化生产和高温工作环境。
  最后,LMUN5136T1G的电气性能稳定,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合工业级和汽车级应用。

应用

LMUN5136T1G广泛应用于多个电子领域。在通信设备中,可用于射频信号放大和调制电路;在音频系统中,可作为前置放大器或音量控制电路。在数字电路中,该器件常用于构建逻辑门、电平转换器或缓冲器,特别是在需要高增益和低功耗的场合。此外,在工业控制系统中,LMUN5136T1G可作为继电器驱动器、传感器接口电路或电机控制开关。在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该器件因其小尺寸和高性能而被广泛采用。在汽车电子系统中,它可用于车身控制模块、LED驱动电路或车载通信模块。由于其高可靠性和宽温度范围,也适用于恶劣环境下的工业和军事应用。

替代型号

PN2907AL, BC847BYS, LMUN5134T1G

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