时间：2025/8/6 3:10:13
阅读：19
IXFX90N20 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率电源转换和电机控制应用。这款器件采用了先进的平面 DMOS 技术，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。IXFX90N20 适用于各种电力电子设备，包括 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）以及工业自动化系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：200V
最大漏极电流 Id：90A
导通电阻 Rds(on)：0.042Ω（典型值）
栅极阈值电压 Vgs(th)：4.0V @ 250μA
最大栅极电压 Vgs：±20V
最大功耗 Pd：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IXFX90N20 具有以下主要特性：
首先，该器件的导通电阻非常低，仅为 0.042Ω，这意味着在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。这对于高电流应用尤为重要，因为较低的 Rds(on) 可以减少发热，从而提高可靠性。
其次，IXFX90N20 的最大漏源电压为 200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高电压电源转换系统。此外，其最大漏极电流可达 90A，能够在高功率负载条件下稳定工作。
第三，该 MOSFET 的栅极阈值电压为 4.0V，在 250μA 条件下测得，这表明它能够在较低的栅极电压下实现完全导通，有利于简化驱动电路的设计。同时，最大栅极电压为 ±20V，提供了良好的抗过压能力，防止因栅极电压过高而导致的器件损坏。
第四，IXFX90N20 的最大功耗为 300W，具有较强的散热能力，适用于高功率密度设计。此外，它的工作温度范围宽，从 -55°C 到 +175°C，确保了在极端环境条件下仍能正常运行，适用于工业和汽车电子等严苛应用环境。
最后，该器件采用 TO-247 封装，具有良好的热管理和电气连接性能，便于安装在散热器上，提高系统的稳定性和寿命。
IXFX90N20 广泛应用于多种电力电子设备中，例如：
1. **开关电源（SMPS）**：由于其低导通电阻和高效率，IXFX90N20 非常适合用于高功率开关电源的主开关器件，特别是在 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器中。
2. **逆变器与电机控制**：在变频器和电机驱动系统中，IXFX90N20 可用于实现高效的 PWM 控制，提供稳定的输出性能。
3. **UPS 不间断电源**：在 UPS 系统中，该 MOSFET 可用于直流侧开关，确保在市电中断时快速切换至电池供电，维持电力供应的连续性。
4. **工业自动化与控制系统**：IXFX90N20 可用于工业控制设备中的功率开关，如继电器、电磁阀和电动执行器等，提供高效可靠的控制功能。
5. **新能源系统**：在太阳能逆变器、风能转换系统和储能系统中，IXFX90N20 可用于实现高效的电能转换和管理。
IXFN90N20, IRF3808, STP90N20F7, IXFN90N20T
