封装尺寸：0603（英制）/1608（公制）
　　电容值：1500pF（1.5nF）
　　容差：±10%（K）
　　额定电压：100V DC
　　介电材料：X7R
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：±15%
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　产品系列：Stacked MLCC
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　高度：典型0.9mm左右
　　长度：1.6mm
　　宽度：0.8mm

X7R介电材料是Class II类陶瓷介质的一种，具有较高的体积效率和相对稳定的电容特性，适用于需要一定电容值且对温度漂移要求不极端严苛的应用场景。0603B152K101NT采用X7R材质，在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容值的变化控制在±15%以内，这使得它在大多数工业、消费类及通信设备中表现出良好的稳定性。相较于C0G/NP0等温度补偿型陶瓷电容，X7R虽然不具备零温度系数特性，但其更高的介电常数允许在相同封装下实现更大的电容容量，因此在去耦和滤波应用中更具优势。
　　该电容器采用堆叠式（stacked）结构设计，通过多层陶瓷与内电极交替排列来实现高电容密度。这种结构不仅提升了单位体积内的电容值，还有效降低了等效串联电感（ESL），使其在高频环境下仍能保持较好的阻抗特性。这对于高速数字电路中的电源去耦尤为重要，能够有效抑制噪声并稳定供电电压。同时，较低的等效串联电阻（ESR）减少了电容器在充放电过程中的能量损耗，有助于提高系统整体效率并减少发热问题。
　　Ni-barrier端接技术是AVX的一项关键工艺，其在内部铜电极与外部焊料之间设置了一层镍阻挡层，防止在高温回流焊过程中焊料侵蚀内部电极，从而显著提升器件的机械强度和长期可靠性。这一特性对于自动化贴片生产和恶劣环境下的长期运行至关重要。此外，该器件经过严格的老化测试和湿度敏感等级（MSL）评估，通常具备MSL 1或MSL 2等级，可在常规存储条件下长时间保存而不影响焊接质量。
　　由于其小尺寸0603封装，0603B152K101NT非常适合用于高密度PCB布局，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和小型化物联网模块。尽管小封装可能带来一定的焊接挑战（如立碑效应），但在正确的焊盘设计和回流曲线控制下，该器件展现出优异的可制造性和一致性。

0603B152K101NT因其适中的电容值、较高的额定电压以及良好的温度稳定性，被广泛应用于各类电子系统中。在电源管理电路中，它常用于DC-DC转换器的输入/输出滤波和去耦，帮助平滑电压波动并降低纹波噪声。其100V额定电压使其适用于中压电源轨的旁路应用，例如在工业控制板或通信设备中为接口电路提供稳定供电。
　　在模拟信号链路中，该电容器可用于RC滤波网络、耦合与隔直电路，尤其是在音频处理或传感器信号调理模块中，X7R的稳定性足以满足多数非精密应用场景的需求。此外，在时钟和振荡电路中，它可以作为负载电容的一部分，配合晶体或谐振器使用，尽管对于高精度定时建议优先选用C0G/NP0类电容。
　　在高频数字系统中，如微控制器、FPGA或ASIC的电源引脚附近，0603B152K101NT可用作局部去耦电容，快速响应瞬态电流需求，防止电源电压塌陷。其低ESR和ESL特性在此类应用中尤为关键。同时，该器件也常见于EMI滤波电路中，用于抑制高频干扰，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
　　其他典型应用还包括消费类电子产品（如电视、机顶盒、路由器）、汽车电子模块（非动力域）、医疗设备以及测试测量仪器。由于其符合RoHS标准且具备良好可靠性，适合在批量生产环境中长期使用。

GRM188R71H152KA01D
　　CL21A152KBANNNC
　　C1608X7R1H152K080AA
　　KOA Speer SRP0603FR152K