时间：2025/8/14 1:19:27
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LMUN5135DW1T1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管阵列，包含两个NPN晶体管。该器件设计用于需要高增益、低饱和电压和高可靠性的小信号开关应用。LMUN5135DW1T1G采用了内置基极-发射极电阻的结构，简化了电路设计，使其特别适用于需要减少外部元件数量的应用场景。这款晶体管阵列采用TSSOP封装，适用于表面贴装工艺，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
晶体管类型：NPN 双极型晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散：200mW
电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
引脚数：6
LMUN5135DW1T1G具有多个关键特性，使其在各种电路设计中表现优异。首先，该器件的每个晶体管都集成了基极和发射极之间的电阻，减少了外部元件的需求，简化了电路布局，提高了系统的可靠性。这种集成设计在数字开关电路中尤其有用，能够有效减少PCB板的复杂性和制造成本。
其次，LMUN5135DW1T1G具有较高的电流增益（hFE），可在小信号放大和开关应用中提供出色的性能。其hFE值在110至800之间，具体取决于工作条件，这使得它适用于各种需要高灵敏度的电路设计。
此外，该器件的最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，能够在中等功率条件下稳定工作。同时，其最大功率耗散为200mW，适合在紧凑型电路中使用，而不会导致过热问题。
LMUN5135DW1T1G的封装形式为TSSOP，是一种适用于表面贴装工艺的紧凑型封装，这使得它非常适合用于现代高密度电子设备。TSSOP封装还具有良好的热管理和电气性能，确保器件在高频和高密度应用中稳定运行。
最后，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在恶劣的环境条件下保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
LMUN5135DW1T1G广泛应用于多个电子领域。在消费电子产品中，它常用于逻辑电路、LED驱动器和小型继电器控制电路。由于其内置电阻设计，该器件可以轻松实现数字信号的放大和转换，适用于各种微控制器接口电路。
在工业控制系统中，LMUN5135DW1T1G可用于传感器信号放大、继电器驱动和小功率电机控制。其高可靠性和宽温度范围使其成为工业自动化设备的理想选择。
在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、仪表盘指示灯驱动和车载娱乐系统的信号处理。由于其耐高温和抗干扰特性，LMUN5135DW1T1G能够在汽车环境中稳定运行。
此外，该器件也适用于通信设备、电源管理和测试仪器等领域，能够提供稳定的小信号处理和开关控制功能。
BC847BDSX, MMBT3904LT1, 2N3904, PN2222A
