时间：2025/9/2 6:49:11
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H9LA2GH1GJCMCR-46M 是一款由SK Hynix（海力士）制造的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于移动LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）系列，专为低功耗、高速度的移动设备设计，如智能手机、平板电脑和便携式计算设备。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，提供较大的存储容量和出色的访问速度，同时保持较低的能耗，以满足现代移动设备对性能和电池寿命的双重需求。
容量：2GB（Gigabytes）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
数据速率：4266 Mbps（每秒百万比特）
电压：1.1V（工作电压）
输入时钟频率：1600 MHz
数据预取：4-bit prefetch
封装尺寸：132-ball FBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9LA2GH1GJCMCR-46M 属于 LPDDR4 标准的DRAM芯片，具有多项先进的技术特性，使其在移动设备和高性能计算应用中表现出色。首先，其4266 Mbps的数据传输速率支持高速数据访问，提升了设备的整体性能。该芯片采用双倍数据速率技术，可以在每个时钟周期内传输两次数据，从而显著提高了带宽效率。此外，1.1V 的低电压设计降低了功耗，延长了移动设备的续航时间。
这款DRAM芯片还采用了差分时钟信号（DQS和DQS#）和写入校准（Write Leveling）等技术，以提高数据稳定性和同步性。同时，其FBGA封装结构提供了良好的电气性能和热管理能力，适合在高密度PCB布局中使用。H9LA2GH1GJCMCR-46M 支持多种工作模式，包括自刷新（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power-Down）等，可根据不同应用场景优化功耗。此外，其内部配置了温度传感器，以支持动态电压和频率调节（DVFS），确保在不同温度环境下稳定运行。
H9LA2GH1GJCMCR-46M 主要应用于对性能和功耗有严格要求的移动设备，如高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及嵌入式系统。此外，它也可用于需要大内存带宽的智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）和工业控制设备。由于其高速、低功耗和小封装尺寸的特点，非常适合集成到空间受限的便携式电子产品中。
H9HKNNN8JAMUBR-46M
H9HC2G8VUMACMR-46M
