类型：NPN数字晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　基极-发射极电压（VEBO）：5V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　电流增益（hFE）：典型值350 @ IC=2mA, VCE=5V
　　内置基极电阻：R1 = 10kΩ，R2 = 10kΩ
　　封装形式：SOT-23

LMUN5130T1G的主要特性在于其集成化设计，内部集成了两个偏置电阻，从而减少了外部元件数量，提高了电路的可靠性和简化了设计流程。该器件采用NPN型晶体管结构，具有良好的电流放大能力和快速开关性能。内置的偏置电阻允许用户通过简单的输入信号控制晶体管的导通状态，而无需额外配置偏置电路，非常适合用于逻辑电路和微控制器的接口电路。
　　其SOT-23小型封装使其适用于空间受限的高密度PCB布局。此外，LMUN5130T1G具有良好的温度稳定性，可在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。该器件的高可靠性、低功耗和易于使用的特点，使其成为LED驱动、小型继电器控制、逻辑电平转换和数字开关电路中的理想选择。
　　另外，该晶体管的典型电流增益为350，意味着在较小的基极电流驱动下即可实现较大的集电极电流控制，提高了能效。内置的偏置电阻也起到了限流和稳定偏置电压的作用，避免了由于外部元件波动带来的性能变化，提升了电路的稳定性。

LMUN5130T1G因其集成化设计和良好的性能，被广泛应用于多个领域。在消费电子中，它常用于LED驱动电路，通过微控制器输出信号控制LED的亮灭；在逻辑电平转换电路中，它可以作为电平适配器，将低电压逻辑信号转换为高电压逻辑信号以驱动负载；在继电器控制电路中，LMUN5130T1G可用于驱动小型继电器线圈，实现高电压或高电流负载的开关控制。
　　在工业自动化系统中，LMUN5130T1G常用于传感器信号处理、继电器驱动和接口电路中，作为信号放大或开关元件使用。在汽车电子中，该器件可用于车灯控制、仪表盘指示灯驱动、车载电子模块的数字开关电路等。
　　此外，它还可用于电池供电设备、便携式电子产品、家用电器、安防系统和通信设备中的数字开关和驱动电路。由于其SOT-23封装体积小，适合用于紧凑型设计的电路中，尤其适用于需要高集成度和高可靠性的应用场景。

MUN5131T1G, MUN5132T1G, LMUN5131T1G