IS62WVS5128FBLL-20NLI 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有512K x 8位的存储容量,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。其封装形式为FBGA,尺寸小巧,适合高密度电路板设计。
容量:512K x 8位
访问时间:20ns
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:FBGA
引脚数:54
功耗:典型工作电流约100mA
接口类型:并行异步接口
IS62WVS5128FBLL-20NLI 采用高性能CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特点。其异步控制引脚(如CE#, OE#, WE#)允许灵活地与各种微控制器和处理器接口连接。该芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度睡眠模式,有助于延长便携式设备的电池寿命。此外,该SRAM芯片具备宽电压工作范围,适用于多种电源设计环境。其高可靠性和稳定性使其在工业自动化、通信设备、医疗仪器等领域具有广泛的应用前景。
IS62WVS5128FBLL-20NLI 广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统中,如工业控制设备、通信模块、数据采集系统、智能仪表、医疗设备和消费类电子产品。由于其宽温度范围和高稳定性,该芯片也适用于恶劣环境下的工业现场应用。
IS62WVS5128FBLL-25NLI IS62WVS5128FBLL-15NLI