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IS62WVS5128FBLL-20NLI 发布时间 时间:2025/9/1 15:39:22 查看 阅读:28

IS62WVS5128FBLL-20NLI 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有512K x 8位的存储容量,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。其封装形式为FBGA,尺寸小巧,适合高密度电路板设计。

参数

容量:512K x 8位
  访问时间:20ns
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:FBGA
  引脚数:54
  功耗:典型工作电流约100mA
  接口类型:并行异步接口

特性

IS62WVS5128FBLL-20NLI 采用高性能CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特点。其异步控制引脚(如CE#, OE#, WE#)允许灵活地与各种微控制器和处理器接口连接。该芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度睡眠模式,有助于延长便携式设备的电池寿命。此外,该SRAM芯片具备宽电压工作范围,适用于多种电源设计环境。其高可靠性和稳定性使其在工业自动化、通信设备、医疗仪器等领域具有广泛的应用前景。

应用

IS62WVS5128FBLL-20NLI 广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统中,如工业控制设备、通信模块、数据采集系统、智能仪表、医疗设备和消费类电子产品。由于其宽温度范围和高稳定性,该芯片也适用于恶劣环境下的工业现场应用。

替代型号

IS62WVS5128FBLL-25NLI IS62WVS5128FBLL-15NLI

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IS62WVS5128FBLL-20NLI产品

IS62WVS5128FBLL-20NLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格200 : ¥35.22215散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口SPI - 四路 I/O,SDI
  • 时钟频率20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC