时间：2025/9/1 15:39:22
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IS62WVS5128FBLL-20NLI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产的高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有512K x 8位的存储容量，适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。其封装形式为FBGA，尺寸小巧，适合高密度电路板设计。
容量：512K x 8位
访问时间：20ns
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：FBGA
引脚数：54
功耗：典型工作电流约100mA
接口类型：并行异步接口
IS62WVS5128FBLL-20NLI 采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问的特点。其异步控制引脚（如CE#, OE#, WE#）允许灵活地与各种微控制器和处理器接口连接。该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，有助于延长便携式设备的电池寿命。此外，该SRAM芯片具备宽电压工作范围，适用于多种电源设计环境。其高可靠性和稳定性使其在工业自动化、通信设备、医疗仪器等领域具有广泛的应用前景。
IS62WVS5128FBLL-20NLI 广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统中，如工业控制设备、通信模块、数据采集系统、智能仪表、医疗设备和消费类电子产品。由于其宽温度范围和高稳定性，该芯片也适用于恶劣环境下的工业现场应用。
IS62WVS5128FBLL-25NLI IS62WVS5128FBLL-15NLI
