晶体管类型：NPN
　　配置：双晶体管阵列
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：110（最小值）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-26
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LMUN5115DW1T1G具有多个显著的技术特性，适用于广泛的应用场景。
　　首先，该器件集成了两个NPN晶体管在一个紧凑的SOT-26封装中，极大地节省了PCB空间，非常适合高密度电路设计。这种双晶体管配置允许用户在单个芯片上实现并行操作、差分放大或逻辑功能，如达林顿对管配置或推挽式输出级设计。
　　其次，LMUN5115DW1T1G的电气特性优异。其最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为50 V，适用于大多数低功率开关和信号放大应用。该器件的直流电流增益（hFE）最小值为110，具有较高的放大能力，适用于模拟放大器和数字开关电路。
　　此外，该晶体管的工作频率可达100 MHz（fT），使其适合用于中频放大器、射频前端和高速开关应用。SOT-26封装提供了良好的散热性能，确保在连续工作条件下仍能保持稳定。
　　最后，LMUN5115DW1T1G的温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用，能够在恶劣环境中保持稳定运行。

LMUN5115DW1T1G广泛应用于多个电子领域。
　　在数字电路中，该器件常用于构建逻辑门、缓冲器和驱动电路，特别是在需要多个晶体管协同工作的场合。其双晶体管结构可以用于构建达林顿对管、推挽输出级或H桥驱动电路，适用于电机控制、LED驱动和继电器控制等场景。
　　在模拟电路方面，LMUN5115DW1T1G可用于构建音频放大器、信号放大器和电压调节电路。其较高的过渡频率（fT）使其适用于中频放大和射频前端电路，例如无线通信模块中的信号处理部分。
　　此外，该器件也常用于传感器接口电路，如光电传感器、温度传感器和压力传感器的信号放大和调理。其高增益和良好的线性特性使其在测量和控制系统中表现优异。
　　由于其宽温度范围和可靠的性能，该器件也广泛应用于汽车电子、工业控制、消费类电子产品和便携式设备中。

PN2222A, BCX56-10, MMBT2222, 2N3904