晶体管类型：NPN型
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：20mA
　　耗散功率：300mW
　　过渡频率：100MHz
　　噪声系数：典型值为2dB
　　封装形式：TO-92

3DU3S晶体管具有以下显著特性：
　　1. 低噪声性能：3DU3S的噪声系数较低，通常在2dB左右，使其非常适合用于高频信号的前置放大器，特别是在接收机中对噪声要求较高的场景。
　　2. 高频响应能力：该晶体管的过渡频率达到100MHz，能够在高频环境下稳定工作，适用于射频和中频放大电路。
　　3. 高可靠性：采用硅材料和成熟的制造工艺，确保了晶体管在不同工作条件下的稳定性和长寿命。
　　4. 小信号放大能力强：3DU3S在小信号放大电路中表现出色，能够有效提升信号强度而不引入过多失真。
　　5. 易于集成：TO-92封装形式便于在PCB上安装，适用于多种电路设计，尤其是需要高频放大的应用。
　　6. 通用性强：该晶体管在多种应用场景中都有良好的表现，适用于各种放大器电路设计，包括共射、共基和共集电极配置。

3DU3S晶体管广泛应用于以下领域：
　　1. 高频信号放大：在无线通信系统中，3DU3S可用于放大射频信号，特别是在接收机前端作为低噪声放大器，以提高信号接收的灵敏度。
　　2. 收音机和接收机电路：3DU3S的低噪声特性使其成为收音机、电视接收机和其他音频设备中前置放大器的理想选择。
　　3. 中频放大器：在超外差接收机中，3DU3S可用于中频放大阶段，提高信号的增益并减少噪声干扰。
　　4. 无线模块：在无线传感器网络、遥控器和无线通信模块中，3DU3S可用于信号发射或接收的放大电路。
　　5. 工业控制电路：该晶体管也可用于工业设备中的信号处理和放大电路，特别是在需要高频响应的场合。
　　6. 教育和实验用途：由于其性能稳定、易于使用，3DU3S常被用于电子工程教育和实验中的晶体管放大电路设计。

BC547, 2N3904, 9013, 9014