时间：2025/5/8 18:32:37
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LMUN5114DW1T1G 是一款由德州仪器（TI）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效率电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 DSON-8 封装，具备良好的散热性能。
LMUN5114DW1T1G 的设计使其能够在高频条件下保持较低的功耗，同时支持较高的电流承载能力，非常适合需要高性能功率管理的应用场景。
型号：LMUN5114DW1T1G
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：DSON-8
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：39A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
最大工作结温：175°C
功耗：17W
LMUN5114DW1T1G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
5. 小型化的 DSON-8 封装节省了 PCB 空间，同时具备优异的热性能。
6. 能够承受高达 175°C 的结温，适应苛刻的工作条件。
7. 提供出色的 ESD 保护能力，确保长期可靠性。
LMUN5114DW1T1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 电信和工业设备中的高效功率转换。
5. 逆变器和 UPS 系统。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
7. LED 驱动和汽车电子系统的功率级组件。
LMUN5113DW1T1G, CSD18534KTT, IRFZ44N
