LMUN5112T1G 时间：2025/4/29 9:47:33 阅读：1

LMUN5112T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，属于 TI（德州仪器）推出的 GaN FET 系列。该器件将驱动器和增强型 GaN 场效应晶体管集成在一起，能够显著提高电源系统的功率密度和效率。其封装形式为 QFN-16 (4x4)，适用于需要高频开关和低损耗的场景。
　　LMUN5112T1G 的设计使得它在高频应用中表现出色，同时具备快速的开关速度、低栅极电荷和低导通电阻特性，非常适合用于 DC/DC 转换器、图腾柱 PFC 和其他高性能电源转换系统。

参数

型号：LMUN5112T1G
　　工作电压范围：10V 至 60V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：120mΩ（典型值，在 VGS=6V 时）
　　连续漏极电流：7A
　　峰值脉冲漏极电流：30A
　　栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：850pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：65pF（典型值）
　　最大工作结温：175°C
　　封装形式：QFN-16 (4x4mm)
　　隔离耐压：1200V

特性

LMUN5112T1G 具备以下关键特性：
　　1. 高效的 GaN 技术带来更低的开关损耗和传导损耗，提升整体系统效率。
　　2. 集成驱动器减少了外部元件数量，并提高了可靠性和简化了 PCB 设计。
　　3. 快速开关性能支持高达 MHz 级别的开关频率，有助于减小磁性元件尺寸，进一步提升功率密度。
　　4. 内部保护功能包括过流保护、短路保护和热关断功能，确保设备在异常条件下也能安全运行。
　　5. 工作温度范围广，适应多种恶劣环境下的应用需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接加工。

应用

LMUN5112T1G 广泛应用于对效率和功率密度要求较高的领域，包括但不限于以下应用场景：
　　1. 数据中心服务器中的高效 DC/DC 转换模块。
　　2. 图腾柱无桥 PFC（功率因数校正）电路，用于提升家电和工业设备的能源效率。
　　3. 消费电子产品的快充适配器，如手机、平板电脑等，支持更高功率输出的同时保持小型化设计。
　　4. 通信基站电源中的 DCM 或 CCM 模式转换器。
　　5. 新能源汽车充电桩中的高频功率转换级。
　　6. 工业自动化设备中的开关电源和电机驱动控制部分。