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IXFT23N80Q 发布时间 时间:2024/9/24 10:21:02 查看 阅读:128

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:420毫欧 500mA,10V
  漏极至源极电压(Vdss):800V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:23A
  Id时的Vgs(th)(最大):4.5V 3mA
  闸电荷(Qg) Vgs:130nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):4900pF 25V
  功率-最大:500W

封装参数

安装类型:表面贴装
  封装/外壳:TO-268
  包装:散装

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IXFT23N80Q参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C420 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4900pF @ 25V
  • 功率 - 最大500W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装散装