类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率响应：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23

LMUN2231T1G具有较高的电流增益，能够在较宽的电流范围内提供稳定的放大性能。其hFE值范围为110至800，根据不同的工作电流条件，能够适应多种放大需求。此外，该晶体管的工作频率可达250MHz，使其适用于高频放大电路。LMUN2231T1G的集电极-发射极击穿电压为40V，允许其在较高的电压条件下工作，同时其最大功耗为300mW，确保在常规应用中不会出现过热问题。
　　该器件的封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适用于自动化装配工艺，节省PCB空间，并提供良好的散热性能。由于其高可靠性和稳定性，LMUN2231T1G常用于便携式设备、传感器接口电路、LED驱动电路以及各种开关控制应用中。
　　LMUN2231T1G还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），这有助于提高开关效率，减少功耗。此外，其基极-发射极电压（VBE）通常在0.7V左右，适合与常见的数字电路配合使用，实现高效的开关控制。

LMUN2231T1G广泛应用于各种电子电路中，尤其适合于需要中等功率放大的场合。在模拟电路中，该晶体管可以用于音频放大器的前置放大级，提供较高的增益和较低的噪声。在数字电路中，它常被用作开关元件，控制LED、继电器、小型电机等负载。由于其高频响应特性，LMUN2231T1G也适用于射频（RF）前端放大器、无线通信模块的信号放大部分。
　　在工业控制领域，LMUN2231T1G可用于PLC输入输出接口、传感器信号调理电路以及执行器驱动电路。其高稳定性和宽工作温度范围使其成为工业环境中的可靠选择。
　　此外，该晶体管也广泛用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，在电源管理、信号切换和接口扩展等方面发挥重要作用。

MMUN2231T1G, BC847N, 2N3904, PN2222A