制造商: SK Hynix
　　产品类型: NAND闪存
　　存储容量: 2Gbit（256MB）
　　接口类型: 8位并行接口（x8）
　　封装类型: TSOP
　　工作温度范围: 工业级（-40°C至+85°C）
　　电源电压: 2.7V至3.6V
　　读取时间: 最大70ns（访问时间）
　　写入时间: 最大70ns
　　封装尺寸: 12mm x 20mm（TSOP-I）
　　引脚数: 48

HY27UF082G2B-FPIBDR 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，具有以下主要特性：
　　1. **高存储密度与耐用性**：该芯片提供256MB的存储容量，适用于需要较大存储空间但体积受限的应用。其支持高达10万次的编程/擦除周期，确保了在频繁读写环境下的长期可靠性。
　　2. **快速访问速度**：其最大访问时间为70ns，使得该芯片在读取和写入操作中具有较高的响应速度，适用于需要快速数据存取的场景，如嵌入式文件系统和固件存储。
　　3. **宽电压工作范围**：芯片支持2.7V至3.6V的电源电压，使其能够适应多种电源管理方案，并在不同工作条件下保持稳定运行。
　　4. **工业级温度适应性**：该芯片可在-40°C至+85°C的宽温度范围内工作，适合工业控制、车载设备、通信设备等严苛环境下的应用。
　　5. **小尺寸封装**：采用48引脚TSOP封装，体积小巧，便于集成在紧凑型电子设备中，如智能手机、数码相机、USB存储设备等。
　　6. **错误纠正与坏块管理**：作为NAND闪存，它具备基本的坏块管理和错误检测能力，通常需要外部控制器进行ECC（错误校正码）处理，以确保数据完整性。

HY27UF082G2B-FPIBDR 被广泛应用于各种嵌入式系统和便携式设备中，主要包括：
　　? 智能手机和平板电脑中的固件存储
　　? 数码相机和视频记录设备的内部存储
　　? 工业控制系统中的程序和数据存储
　　? 网络设备和路由器中的操作系统和配置存储
　　? 消费类电子产品如MP3播放器、电子书和游戏设备
　　? 医疗仪器、测试设备和数据采集系统
　　? 汽车电子系统，如车载信息娱乐系统和远程信息处理单元

K9F2G08U0B-PCB0, TC58NVG2S0HFT00, MT29F2G08ABBEAH4-30G