类型: NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　集电极-基极电压（VCBO）: 50V
　　发射极-基极电压（VEBO）: 3V
　　最大集电极电流（IC）: 100mA
　　功率耗散（PD）: 300mW
　　增益（hFE）: 100到800（具体值根据等级不同而变化）
　　频率响应（fT）: 100MHz
　　工作温度范围: -55°C至150°C

高电流增益：LMUN2230LT1G具有较高的电流增益（hFE）范围，通常在100到800之间，这使得它非常适合用于需要高放大能力的电路。
　　低饱和电压：该晶体管的低饱和电压（VCE(sat)）特性使其在开关应用中表现出色，能够减少功率损耗并提高能效。
　　高频响应：具有100MHz的过渡频率（fT），使得LMUN2230LT1G可以在高频放大电路中使用，适用于射频和音频应用。
　　小尺寸封装：采用SOT-23封装，体积小，便于在空间受限的PCB布局中使用。
　　宽工作温度范围：工作温度范围从-55°C到150°C，适合在恶劣的环境条件下使用。
　　可靠性高：ON Semiconductor的生产工艺确保了该晶体管具有较高的可靠性和稳定性，适合在工业和消费类电子产品中使用。

LMUN2230LT1G NPN晶体管广泛应用于各种电子电路中。在放大电路中，它可以用于音频放大器、射频放大器和其他信号处理电路，提供高增益和低噪声性能。在开关电路中，LMUN2230LT1G可以作为电子开关，用于控制小功率负载，如LED、继电器和小型电机。此外，它还可以用于电源管理电路、传感器接口电路和逻辑电平转换电路。由于其高频响应特性，该晶体管也常用于无线通信设备中的射频放大和混频电路。

2N3904, BC547, PN2222