LMUN2216 时间：2025/8/13 10:38:16 阅读：8

LMUN2216是一款由Texas Instruments推出的双路N通道增强型功率MOSFET，采用先进的功率MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。该器件广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关和电池供电设备等场景，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。LMUN2216采用6引脚SOT-23（DBV）封装，适合空间受限的便携式电子产品设计。

参数

类型：MOSFET
　　通道类型：N通道
　　数量：双路
　　漏极电流（ID）：最大1.6A（每个通道）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω（在VGS=4.5V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23（DBV）

特性

LMUN2216具有多项优良特性，使其在低压功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了在高电流工作时的功率损耗，从而提高了系统效率并减少了热量产生。其次，双路N通道MOSFET集成在一个封装内，节省了PCB空间，特别适用于对尺寸要求严格的便携式设备设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至8V的栅极电压输入，适用于多种控制器驱动环境。
　　LMUN2216还具备良好的热稳定性与高可靠性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级温度范围。该MOSFET采用无铅封装工艺，符合RoHS环保标准，适用于环保电子产品设计。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高动态响应速度，适用于高频开关电源应用。

应用

LMUN2216广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。例如，在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流和高效功率转换，提升整体系统效率。在电池供电设备中，LMUN2216可用于负载开关控制，有效延长电池寿命。此外，它还适用于电源管理单元（PMU）、移动电源、智能电表、便携式医疗设备和工业自动化设备等应用领域。由于其高效率和小尺寸封装，也常用于空间受限的便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。