类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗：200mW
　　电流增益（hFE）：100-800（具体取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C

LMUN2213LT1H具备高增益特性，这使得它在低噪声放大器设计中非常有用。该器件的双晶体管设计可以实现差分放大电路或者推挽式放大电路，提高电路的性能。LMUN2213LT1H的过渡频率（fT）高达100MHz，表明它可以在较高的频率下工作，适合射频应用。
　　这款晶体管采用SOT-23封装，具有较小的尺寸和良好的热性能，适用于表面贴装技术（SMT），从而简化了PCB设计和生产流程。其工作温度范围为-55°C至150°C，表明它可以在极端温度条件下正常工作，适用于工业和汽车等严苛环境中的应用。
　　LMUN2213LT1H的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，最大集电极电流为100mA，这意味着它可以处理相对较高的电压和电流，适合多种电源管理应用。此外，该器件的最大功耗为200mW，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。

LMUN2213LT1H广泛应用于射频放大器、低噪声放大器、模拟开关电路、电压调节器和数字逻辑电路中。在射频应用中，它可以作为前置放大器来提高信号强度，同时保持较低的噪声水平。在模拟电路中，该器件可以用于设计高增益放大器和差分放大器，以提高系统的精度和稳定性。此外，LMUN2213LT1H还可以用于数字电路中的缓冲器和驱动器，确保信号的完整性和可靠性。
　　由于其SOT-23封装的小型化设计，LMUN2213LT1H非常适合在空间受限的应用场合，如便携式电子设备和嵌入式系统中使用。该器件的高可靠性和宽工作温度范围使其成为工业控制、汽车电子和通信设备中的理想选择。

LMUN2213LT1G