时间：2025/5/14 18:54:43
阅读：2
LMUN2213LT1G 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的 N 没道场效应晶体管（N-Channel MOSFET）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动以及负载切换等场景。
LMUN2213LT1G 使用了 SOT-23 封装形式，使其非常适合于对空间要求严格的紧凑型设计。
封装：SOT-23
最大漏源电压 (Vds)：30 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
连续漏极电流 (Id)：1.47 A
导通电阻 (Rds(on))：65 mΩ (在 Vgs = 4.5V 时)
总功耗：410 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷：3.9 nC
LMUN2213LT1G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流应用中减少功率损耗，从而提高效率。
2. 高速开关能力使其适合高频应用，例如 DC-DC 转换器。
3. 小型 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，非常适合便携式设备。
4. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
5. 静电放电 (ESD) 保护增强了器件的鲁棒性。
LMUN2213LT1G 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流功能。
2. 电池供电设备中的负载开关控制。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理。
5. 信号电平转换和保护电路。
LMU1N02ZT1G, BSS138, FDN340P
