LMUN2212T1G 时间：2025/8/13 15:38:50 阅读：22

LMUN2212T1G是一款双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，适用于各种通用开关和放大应用。该晶体管采用了先进的硅技术，提供高可靠性和稳定性，广泛用于消费类电子、工业控制和汽车电子领域。LMUN2212T1G采用SOT-23封装形式，使其适合在空间受限的印刷电路板上使用。

参数

晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　集电极电流（Ic）：100 mA
　　功耗（Pd）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2 mA时为110至800（根据具体等级）

特性

LMUN2212T1G具有多项优良特性，确保其在多种应用场景中的可靠性和性能。首先，其最大集电极-发射极电压为30 V，允许在较高的电压环境下稳定工作。其次，晶体管的最大集电极电流为100 mA，使其适用于中等功率的开关和放大电路。此外，该晶体管具有较高的增益带宽积（250 MHz），支持高频应用，如射频放大器和高速开关电路。LMUN2212T1G的电流增益（hFE）在不同电流条件下具有多个等级选择，范围从110到800，用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级，以优化电路性能。该晶体管还具备良好的热稳定性和低饱和压降特性，有助于降低功耗并提高效率。采用SOT-23小型封装，便于在高密度PCB设计中使用，并提供良好的散热性能。

应用

LMUN2212T1G适用于广泛的电子电路设计，包括通用开关电路、低频放大器、音频放大电路、逻辑电平转换、LED驱动电路、传感器接口电路以及电源管理模块等。由于其良好的高频响应和稳定的增益特性，该晶体管也常用于射频前端模块、无线通信设备和数据传输系统。此外，由于其工作温度范围宽，LMUN2212T1G也适用于汽车电子、工业自动化和便携式电子产品。