LMUN2212LT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率转换器件,属于 TI(德州仪器)推出的 LMU 系列产品。该芯片采用 QFN 封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高频 DC/DC 转换器、电源适配器以及电信设备中的高效能电源管理。
LMUN2212LT1G 的设计旨在提供更高的功率密度和更低的能量损耗,其 GaN FET 结构显著提升了系统性能,同时简化了 PCB 布局和散热设计。
封装:QFN-8
导通电阻 (Rds(on)):150 mΩ
电压等级 (Vds):200 V
电流能力 (Id):6 A
栅极驱动电压 (Vgs):6 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
输入电容 (Ciss):950 pF
输出电容 (Coss):70 pF
反向传输电容 (Crss):45 pF
开关频率:最高支持 2 MHz
LMUN2212LT1G 具备以下主要特性:
1. 基于先进的氮化镓技术,能够实现极低的开关损耗和传导损耗。
2. 高速开关能力,支持高达 2 MHz 的工作频率,从而减少磁性元件的尺寸并提高功率密度。
3. 内置保护功能,包括过流保护和热关断机制,确保在异常条件下的可靠性。
4. 小型化 QFN-8 封装设计,适合空间受限的应用场景。
5. 极低的输入和输出电容值,优化动态性能并降低开关节点振荡。
6. 广泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境需求。
这些特性使其成为高效率、紧凑型电源解决方案的理想选择。
LMUN2212LT1G 广泛应用于以下领域:
1. 消费电子领域的快速充电器和 USB-PD 适配器。
2. 数据中心和通信设备中的高效 DC/DC 转换模块。
3. 工业自动化设备的开关电源单元。
4. 笔记本电脑和其他便携式电子产品的电源管理系统。
5. 太阳能微逆变器以及其他需要高效率能量转换的场景。
凭借其卓越的性能和可靠性,LMUN2212LT1G 在现代电力电子设计中扮演着重要角色。
LMG3411R030,
LMG3422R030,
GAN041-65WSA